温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPDQ60R010S7AXTMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- IPDQ60R010S7A是一款高压功率MOSFET，依据英飞凌科技公司率先提出的超结（SJ）原理设计为静态开关。IPDQ60R010S7A将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新技术相结合，可在QDPAK封装中实现低导通电阻RDS(on)。S7A系列针对低频开关和大电流应用（如断路器）进行了优化
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R010S7AXTMA1
- 商品编号
- C3278529
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@12V | |
| 耗散功率(Pd) | 694W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@3.08mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 318nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.987nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 187pF |
优惠活动
购买数量
(750个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个750个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
相似推荐
其他推荐
- IST007N04NM6AUMA1
- IST026N10NM5AUMA1
- IAUA180N04S5N012AUMA1
- IAUA250N04S6N007AUMA1
- IAUA250N08S5N018AUMA1
- IAUA220N08S5N021AUMA1
- IPT044N15N5ATMA1
- IPT008N06NM5LFATMA1
- IPT039N15N5ATMA1
- IPT013N08NM5LFATMA1
- IPT063N15N5ATMA1
- IAUT300N08S5N014ATMA1
- IPT111N20NFDATMA1
- IAUT300N08S5N012ATMA2
- IPT059N15N3ATMA1
- IPT60R035CFD7XTMA1
- IPT014N08NM5ATMA1
- IPT60R105CFD7XTMA1
- IPT60R145CFD7XTMA1
- IPT60R090CFD7XTMA1
- IPT60R045CFD7XTMA1