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IPDQ60R010S7AXTMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:50A
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- 描述
- IPDQ60R010S7A是一款高压功率MOSFET，依据英飞凌科技公司率先提出的超结（SJ）原理设计为静态开关。IPDQ60R010S7A将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新技术相结合，可在QDPAK封装中实现低导通电阻RDS(on)。S7A系列针对低频开关和大电流应用（如断路器）进行了优化
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPDQ60R010S7AXTMA1
- 商品编号
- C3278529
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@12V | |
| 耗散功率(Pd) | 694W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 318nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.987nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 187pF |
商品特性
- 针对高端应用中的低开关频率进行优化(断路器以及桥式整流器中的二极管并联/替换)。
- S7A技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的导通电阻RDS(on)。
- 开尔文源极引脚可提高大电流下的开关性能。
- QDPAK(PG - HDSOP - 22 - 1)封装符合MSL1标准,完全无铅,引脚便于目视检查。
应用领域
-断路器(高压电池断开开关、直流和交流低频开关、高压电子保险丝)-用于高功率/高性能应用的二极管并联/替换
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