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IPT044N15N5ATMA1
1个N沟道 耐压:150V 电流:179A
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- 描述
- 特性：N沟道。极低导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT044N15N5ATMA1
- 商品编号
- C3278537
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 179A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V@221uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.95nF |
优惠活动
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