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IPTC019N10NM5ATMA1

1个N沟道耐压:100V 电流:279A

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPTC019N10NM5ATMA1
商品编号: C3278522
商品封装: HDSOP-16
包装方式: 编带
商品毛重: 1.86克(g)

商品参数

商品概述

500安培连续电流、标准电平栅极驱动、采用LFPAK88封装的N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3系列产品，可实现高效率和低尖峰性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才能实现这种性能，但该系列产品不存在高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率下的高效应用，也适用于高负载电流下的安全可靠开关。

商品特性

针对电机驱动和电池供电应用进行优化
针对顶部散热进行优化
高电流能力
额定温度175°C
100%雪崩测试
卓越的热性能
N沟道
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤

应用领域

无刷直流电机控制-高功率AC-DC应用中的同步整流器,如服务器电源-电池保护和电池管理系统(BMS)-电子保险丝和负载开关-热插拔/浪涌电流管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	279A
	导通电阻(RDS(on))	1.9mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	300W
	阈值电压(Vgs(th))	3.8V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	160nC@10V
	输入电容(Ciss)	12nF
	反向传输电容(Crss)	110pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	1.8nF