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BSO220N03MDGXUMA1
双N沟道MOSFET,电流:7.7A,耐压:30V
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- 描述
- 特性：双N沟道。 针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 用于高频开关电源的低FOM_SW。 100%雪崩测试。 在VGS = 4.5V时极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积（FOM）。 适用于消费级应用。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSO220N03MDGXUMA1
- 商品编号
- C3278510
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
这些高耐用性器件专为高电压驻波比（VSWR）的工业、科学和医疗应用以及无线电和甚高频（VHF）电视广播、低于1 GHz和移动无线电应用而设计。其无匹配输入和输出设计允许在1.8至500 MHz的宽频率范围内使用。
商品特性
- 高漏源雪崩能量吸收能力
- 无匹配输入和输出，可实现宽频率范围应用
- 器件可单端使用或采用推挽配置
- 在30至50 V电压下进行特性表征，便于使用
- 适用于线性应用
- 集成静电放电（ESD）保护，具有更大的负栅源电压范围，可改善C类工作状态
- 推荐驱动器：MRFE6VS25N（25 W）
应用领域
- 工业、科学、医疗（ISM）
- 激光产生
- 等离子体蚀刻
- 粒子加速器
- 磁共振成像（MRI）及其他医疗应用
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 广播
- 无线电广播
- 甚高频（VHF）电视广播
- 移动无线电
- 甚高频（VHF）和超高频（UHF）基站
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