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TSM6502CR RLG

1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:18A 电流:24A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM6502CR RLG
商品编号: C3278478
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

这些逻辑电平的 P 型增强型功率场效应晶体管是采用安森美半导体的专有高单元密度的 DMOS 技术制造而成的。这种极高的密度工艺经过特别优化，旨在最大程度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件特别适用于低电压应用，例如汽车、直流/直流转换器、脉宽调制电机控制以及其他电池供电电路，这些电路需要快速开关、低在线功率损耗以及抗瞬变的能力。

商品特性

低 RDS(ON),可将传导损耗降至最低
栅极电荷低,实现快速功率开关
100% 进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和 Rq 测试
符合欧盟指令 2011/65/EU 的 RoHS 标准,以及指令 2002/96/EC 的 WEEE 标准
符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤要求

应用领域

-直流-直流转换器-功率路由-电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	24A
	导通电阻(RDS(on))	110mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	40W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	9.5nC@4.5V；10.3nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	930pF；1.159nF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道+P沟道