TSM6502CR RLG
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:18A 电流:24A
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- 品牌名称Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号
TSM6502CR RLG商品编号
C3278478商品封装
PDFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 68mΩ@4A,10V；34mΩ@5.4A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.5nC@4.5V；10.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 930pF@30V；1.159nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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