温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TSM6502CR RLG

1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:18A 电流:24A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM6502CR RLG
商品编号: C3278478
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

这些逻辑电平的 P 型增强型功率场效应晶体管是采用安森美半导体的专有高单元密度的 DMOS 技术制造而成的。这种极高的密度工艺经过特别优化，旨在最大程度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件特别适用于低电压应用，例如汽车、直流/直流转换器、脉宽调制电机控制以及其他电池供电电路，这些电路需要快速开关、低在线功率损耗以及抗瞬变的能力。

商品特性

VGS = -2.7 V时，RDS(ON) = 0.07 Ω
VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 0.075 Ω
-24 , -20 V，VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 0.05 Ω- 在高温环境下规定的关键直流电气参数。
耐用的内部源漏极二极管可省去外部齐纳二极管瞬态抑制器的需求。
最高结温额定值为175℃。
高密度单元设计实现极低的漏源导通电阻RDS(ON)
TO-220和TO-263 (D²PK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。

应用领域

汽车业；汽车领域- 直流/直流转换器
步进电机控制
其他电池供电电路

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	24A
	导通电阻(RDS(on))	110mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	40W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	9.5nC@4.5V；10.3nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	930pF@30V；1.159nF@30V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道+P沟道