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TQM050NB06CR RLG实物图
  • TQM050NB06CR RLG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TQM050NB06CR RLG

N沟道,电流:16A,耐压:60V

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描述
特性:AEC-Q101认证。 100%进行UIS和Rg测试。 175℃工作结温。 可焊侧翼封装。 符合RoHS标准。 根据IEC 61249-2-21标准无卤。应用:12V汽车系统。 电磁阀和电机控制
商品型号
TQM050NB06CR RLG
商品编号
C3278486
商品封装
PDFNU-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.177148克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)104A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@7V
耗散功率(Pd)136W
阈值电压(Vgs(th))3.8V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)114nC@10V
输入电容(Ciss)6.904nF
反向传输电容(Crss)224pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)401pF

商品概述

这些高耐用性器件设计用于高驻波比的工业(包括激光和等离子体激励器)、广播(模拟和数字)、无线电/陆地移动应用。它们采用非匹配输入和输出设计,可实现宽频率范围的利用,频率范围在1.8至600 MHz之间。

商品特性

  • 非匹配输入和输出,可实现宽频率范围利用
  • 器件可采用单端或推挽配置使用
  • 最高可在50 VDD电压下工作
  • 在30 V至50 V电压范围内具有扩展功率范围特性
  • 适用于具有适当偏置的线性应用
  • 集成静电放电(ESD)保护,具有更大的负栅源电压范围,可改善C类工作
  • 具有串联等效大信号阻抗参数特性
  • 符合RoHS标准
  • 采用卷带包装。后缀R6表示每卷150个,卷带宽度56 mm,卷轴直径13英寸。

应用领域

  • 高驻波比工业(包括激光和等离子体激励器)-广播(模拟和数字)-无线电/陆地移动应用

数据手册PDF