TQM050NB06CR RLG
N沟道,电流:16A,耐压:60V
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- 描述
- 特性:AEC-Q101认证。 100%进行UIS和Rg测试。 175℃工作结温。 可焊侧翼封装。 符合RoHS标准。 根据IEC 61249-2-21标准无卤。应用:12V汽车系统。 电磁阀和电机控制
- 商品型号
- TQM050NB06CR RLG
- 商品编号
- C3278486
- 商品封装
- PDFNU-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 104A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@7V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.904nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 224pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 401pF |
商品概述
这些高耐用性器件设计用于高驻波比的工业(包括激光和等离子体激励器)、广播(模拟和数字)、无线电/陆地移动应用。它们采用非匹配输入和输出设计,可实现宽频率范围的利用,频率范围在1.8至600 MHz之间。
商品特性
- 非匹配输入和输出,可实现宽频率范围利用
- 器件可采用单端或推挽配置使用
- 最高可在50 VDD电压下工作
- 在30 V至50 V电压范围内具有扩展功率范围特性
- 适用于具有适当偏置的线性应用
- 集成静电放电(ESD)保护,具有更大的负栅源电压范围,可改善C类工作
- 具有串联等效大信号阻抗参数特性
- 符合RoHS标准
- 采用卷带包装。后缀R6表示每卷150个,卷带宽度56 mm,卷轴直径13英寸。
应用领域
- 高驻波比工业(包括激光和等离子体激励器)-广播(模拟和数字)-无线电/陆地移动应用
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