TSM018NB03CR RLG
1个N沟道 耐压:30V 电流:29A 电流:194A
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- 商品型号
- TSM018NB03CR RLG
- 商品编号
- C3278480
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 194A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.252nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速功率开关
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和 \mathsfRg 测试
- 工作结温可达175°C
- 符合RoHS标准
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求
应用领域
-直流-直流转换器-电池管理-负载开关-电机驱动
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