TQM110NB04DCR RLG
双N通道,电流:10A,耐压:40V
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- 商品型号
- TQM110NB04DCR RLG
- 商品编号
- C3278483
- 商品封装
- PDFNU-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.2mΩ@7V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.354nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
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