TSM110NB04LDCR RLG
2个N沟道 耐压:40V 电流:48A 电流:10A
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- 商品型号
- TSM110NB04LDCR RLG
- 商品编号
- C3278481
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.269nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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