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TSM052NB03CR RLG

1个N沟道耐压:30V 电流:90A 电流:17A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM052NB03CR RLG
商品编号: C3278477
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

UniFET™ MOSFET 是一款基于平面条纹和 DMOS 技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET™ 超级 FRFET MOSFET 具有卓越的衬底二极管反向恢复性能。其 trr 小于 50 纳秒，反向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec，而普通平面 MOSFET 则分别超过 200 纳秒和 4.5V/nsec。因此，在某些需要提高 MOSFET 衬底二极管性能的应用中，UniFET 超级 FRFET MOSFET 可以减少额外组件并提高系统可靠性。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。

商品特性

漏源导通电阻RDS(on) = 1.65Ω（典型值），条件为栅源电压VGS = 10V，漏极电流ID = 1.5
低栅极电荷（典型值：11 nc）
反向传输电容Crss低（典型值5pF）
100% 经过雪崩测试
符合 RoHS 标准

应用领域

液晶/等离子/背光屏电视
照明设备
不间断电源供应器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	90A
	导通电阻(RDS(on))	8mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	83W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	41nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.294nF@15V
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道