TSM026NA03CR RLG
N沟道,电流:168A,耐压:30V
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- 商品型号
- TSM026NA03CR RLG
- 商品编号
- C3278476
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 168A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.54nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些 300 W 连续波 (CW) 氮化镓 (GaN) 晶体管专为 2450 MHz 工业、科学和医疗 (ISM) 应用而设计。这些器件适用于连续波、脉冲、循环和线性应用。这些高增益、高效率的器件易于使用，即使在最严苛的环境中也能长期稳定工作。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速功率开关
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,且符合WEEE指令2002/96/EC
- 根据IEC 61249-2-21标准,无卤
应用领域
-直流-直流转换器-电池电源管理-或门场效应管/负载开关
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