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TSM680P06DPQ56 RLG
2个P沟道 耐压:60V 电流:12A
- 商品型号
- TSM680P06DPQ56 RLG
- 商品编号
- C3278473
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
非常适用于便携式电子设备中的负载开关和 DC-DC 转换。通过将导通电阻极小的 P 沟道 MOSFET 集成到 MicroFET 3x1.9 封装中，它在效率、热传递和小尺寸方面实现了最佳平衡。在优化便携式应用的尺寸时，这款小器件提供了非常高效的解决方案。
商品特性
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -6.1 A 时，最大 rDS(on) = 35 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V、ID = -5.1 A 时，最大 rDS(on) = 50 mΩ
- 在 VGS = -1.8 V、ID = -4.3 A 时，最大 rDS(on) = 70 mΩ
- 在 VGS = -1.8 V 时，非常适合便携式应用
- 超薄外形——最大高度 = 0.8mm
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 负载开关应用于：
- 硬盘驱动器（HDD）
- 便携式游戏机、MP3
- 笔记本电脑
- DC/DC 转换
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