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A3V26S004NT6实物图
  • A3V26S004NT6商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

A3V26S004NT6

26 dBm RF功率LDMOS晶体管,电流:17 mA,耐压:105 V

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品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
A3V26S004NT6
商品编号
C3278466
商品封装
PDFN-6(4x4.5)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)105V
连续漏极电流(Id)17mA
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))700mV@10uA
工作温度-40℃~+150℃

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