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TSM045NB06CR RLG实物图
  • TSM045NB06CR RLG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM045NB06CR RLG

N沟道,电流:104A,耐压:60V

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商品型号
TSM045NB06CR RLG
商品编号
C3278471
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)104A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
耗散功率(Pd)136W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)104nC@10V
输入电容(Ciss)6.87nF
反向传输电容(Crss)126pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

这些高耐用性器件设计用于高电压驻波比(VSWR)工业(包括激光和等离子体激励器)、广播(模拟和数字)、无线电/陆地移动应用。它们采用无匹配输入和输出设计,允许在1.8至600 MHz的宽频率范围内使用。

商品特性

  • 低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速功率开关
  • 100%进行非钳位感性负载开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
  • 工作结温可达175°C
  • 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU,且符合WEEE指令2002/96/EC
  • 根据IEC 61249-2-21标准,无卤

应用领域

  • 无刷直流(BLDC)电机控制
  • 电池电源管理
  • 直流-直流(DC-DC)转换器
  • 次级同步整流

数据手册PDF