TSM150NB04DCR RLG
双N沟道,电流:38A,耐压:40V
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- 商品型号
- TSM150NB04DCR RLG
- 商品编号
- C3278470
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.6mΩ@7V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.132nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
适用于基站应用的500 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为600 MHz至960 MHz。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速功率开关
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求
应用领域
- 无刷直流(BLDC)电机控制
- 电池电源管理
- 直流-直流(DC-DC)转换器
- 次级同步整流
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