- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品概述
这款射频功率晶体管专为工作频率在2700至3100 MHz之间的应用而设计。该器件适用于脉冲应用。
商品特性
- 具备串联等效大信号阻抗参数特性
- 内部匹配,使用方便
- 最高可在32 VDD电压下正常工作
- 集成静电放电(ESD)保护功能
- 更大的负栅源电压范围,可改善C类工作状态
- 纳入恩智浦(NXP)产品长期供应计划,产品推出后至少保证供应15年
应用领域
- 商用S波段雷达系统
- 海事雷达
- 气象雷达
- A3V26S004NT6
- A3G26D055N-2110
- A3G26D055N-2400
- BLP9H10S-350AY
- BLP9H10S-500AWTY
- A3G26D055N-2515
- TSM150NB04DCR RLG
- TSM045NB06CR RLG
- TSM150NB04LDCR RLG
- TSM680P06DPQ56 RLG
- TSM089N08LCR RLG
- TSM026NA03CR RLG
- TSM052NB03CR RLG
- TSM6502CR RLG
- TSM110NB04CR RLG
- TSM018NB03CR RLG
- TSM110NB04LDCR RLG
- TQM150NB04CR RLG
- TQM110NB04DCR RLG
- TQM025NB04CR RLG
- TQM300NB06DCR RLG