- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MRF24G300HS-2STG
MRF24G300HS-2STG
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MRF24G300HS-2STG
- 商品编号
- C3278455
- 商品封装
- NI-780S-4L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 336W | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些 300 W 连续波 (CW) 氮化镓 (GaN) 晶体管专为 2450 MHz 工业、科学和医疗 (ISM) 应用而设计。这些器件适用于连续波、脉冲、循环和线性应用。这些高增益、高效率的器件易于使用,即使在最严苛的环境中也能长期稳定工作。
商品特性
- 采用先进的碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) 技术,实现最佳热性能
- 具备连续波、长脉冲(长达数秒)和短脉冲工作特性
- 器件可采用单端或推挽配置
- 输入匹配,简化输入电路
- 可在高达 55 V 的电压下工作
- 适用于线性应用
应用领域
-工业加热-焊接和热封-等离子体产生-照明-科学仪器-医疗-微波消融-透热疗法
- MRF24G300HS-2UP
- A3G26H350W17SR3
- MRFX1K80NR5578
- A3V07H600-42NR6
- MRF1K50GNR5
- AFT31150NR5
- A3V26S004NT6
- A3G26D055N-2110
- A3G26D055N-2400
- A3I20X050GNR1
- BLP9H10S-350AY
- BLP9H10S-500AWTY
- A3G26D055N-2515
- TSM150NB04DCR RLG
- TSM045NB06CR RLG
- TSM150NB04LDCR RLG
- TSM680P06DPQ56 RLG
- TSM089N08LCR RLG
- TSM026NA03CR RLG
- TSM052NB03CR RLG
- TSM6502CR RLG