MRF24G300HS-2STG
MRF24G300HS-2STG
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MRF24G300HS-2STG
- 商品编号
- C3278455
- 商品封装
- NI-780S-4L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 336W | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款125 W射频功率氮化镓（GaN）晶体管能够在30至2200 MHz的宽带范围内工作，并具备输入匹配功能，可提升带宽性能。该器件具有高增益和高鲁棒性，非常适合连续波（CW）、脉冲和宽带射频应用。
商品特性
- 采用先进的碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) 技术,实现最佳热性能
- 具备连续波、长脉冲(长达数秒)和短脉冲工作特性
- 器件可采用单端或推挽配置
- 输入匹配,简化输入电路
- 可在高达 55 V 的电压下工作
- 适用于线性应用
应用领域
-工业加热-焊接和热封-等离子体产生-照明-科学仪器-医疗-微波消融-透热疗法