- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
A3G26H350W17SR3
A3G26H350W17SR3
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- A3G26H350W17SR3
- 商品编号
- C3278457
- 商品封装
- NI-780S-4S2S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
这款59 W非对称Doherty射频功率氮化镓(GaN)晶体管专为需要极宽瞬时带宽能力、覆盖2496至2690 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
商品特性
- 高终端阻抗,实现最佳宽带性能
- 先进的高性能封装内Doherty技术
- 针对下一代信号改善线性化误差矢量幅度
- 能够承受极高的输出电压驻波比(VSWR)和宽带工作条件
应用领域
- 蜂窝基站
- MRFX1K80NR5578
- A3V07H600-42NR6
- MRF1K50GNR5
- AFT31150NR5
- A3V26S004NT6
- A3G26D055N-2110
- A3G26D055N-2400
- A3I20X050GNR1
- BLP9H10S-350AY
- BLP9H10S-500AWTY
- A3G26D055N-2515
- TSM150NB04DCR RLG
- TSM045NB06CR RLG
- TSM150NB04LDCR RLG
- TSM680P06DPQ56 RLG
- TSM089N08LCR RLG
- TSM026NA03CR RLG
- TSM052NB03CR RLG
- TSM6502CR RLG
- TSM110NB04CR RLG
- TSM018NB03CR RLG