MRFX1K80NR5578
高鲁棒性N沟道LDMOS晶体管,电流:1800W,耐压:65V
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MRFX1K80NR5578
- 商品编号
- C3278459
- 商品封装
- OM-1230-4L2L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 179V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.333kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@740uA | |
| 输入电容(Ciss) | 765pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Crss) | 5.6pF | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 216pF |
商品特性
- 通过 AEC - Q101 认证
- 100% 进行 UIS 和 Rg 测试
- 工作结温达 175°C
- 可焊侧翼封装
- 符合 RoHS 标准
- 根据 IEC 61249 - 2 - 21 标准无卤
应用领域
- 12V 汽车系统
- 电磁阀和电机控制
- 汽车变速器控制
- DC - DC 转换器