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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MRFE6VP6300HR5
高耐用性N沟道增强型横向MOSFET射频功率场效应晶体管，输入输出无匹配，适用于宽频率范围，可单端或推挽配置，具备ESD保护
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MRFE6VP6300HR5
- 商品编号
- C3278451
- 商品封装
- NI-780-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 130V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 188pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF | |
| 栅极电压(Vgs) | -6V~10V |
商品概述
这些高可靠性器件专为 高驻波比（VSWR）工业应用（包括激光和等离子体激励器）、**广播（模拟和数字）**以及 无线/陆地移动通信 设计。 采用 无可匹敌的输入输出设计，可实现 宽频率范围使用，覆盖 1.8 MHz 至 600 MHz。
商品特性
- 无可匹敌的输入和输出设计，支持宽频率范围使用
- 器件可用于单端（Single-Ended）或推挽（Push-Pull）配置
- 额定最高工作电压：50 VDD
- 扩展功率范围：30 V 至 50 V 已表征
- 适用于线性应用（需适当偏置）
- 集成 ESD 保护
- 更大的负栅源电压范围，提升 C 类放大器性能
- 已表征系列等效大信号阻抗参数
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 高驻波比（VSWR）工业应用（包括激光和等离子体激励器）
- 广播应用（模拟和数字）
- 无线/陆地移动通信
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