商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W |
商品概述
这些高可靠性器件专为 高驻波比（VSWR）工业应用（包括激光和等离子体激励器）、**广播（模拟和数字）**以及 无线/陆地移动通信 设计。 采用 无可匹敌的输入输出设计，可实现 宽频率范围使用，覆盖 1.8 MHz 至 600 MHz。
商品特性
- 无可匹敌的输入和输出设计，支持宽频率范围使用
- 器件可用于单端（Single-Ended）或推挽（Push-Pull）配置
- 额定最高工作电压：50 VDD
- 扩展功率范围：30 V 至 50 V 已表征
- 适用于线性应用（需适当偏置）
- 集成 ESD 保护
- 更大的负栅源电压范围，提升 C 类放大器性能
- 已表征系列等效大信号阻抗参数
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 高驻波比（VSWR）工业应用（包括激光和等离子体激励器）
- 广播应用（模拟和数字）
- 无线/陆地移动通信