- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 133V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 73.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.24pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23.9pF | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品概述
适用于窄带和宽带连续波(CW)或脉冲应用的射频功率晶体管,工作频率范围为1.8至2000 MHz。这些器件采用增强型耐用平台制造,适用于会遇到高电压驻波比(VSWR)的应用场景。
商品特性
- 宽工作频率范围
- 极高的耐用性
- 无需匹配,可实现超宽带操作
- 集成稳定性增强功能
- 低热阻
- 集成静电放电(ESD)保护电路
- 采用卷带包装。后缀R5表示每卷50个器件,卷带宽度56 mm,卷轴直径13英寸
- AFV10700HSR5
- A3G18D510-04SR3
- MRF24G300HS-2STG
- MRF24G300HS-2UP
- A3G26H350W17SR3
- MRFX1K80NR5578
- A3V07H600-42NR6
- MRF1K50GNR5
- AFT31150NR5
- A3V26S004NT6
- A3G26D055N-2110
- A3G26D055N-2400
- A3I20X050GNR1
- BLP9H10S-350AY
- BLP9H10S-500AWTY
- A3G26D055N-2515
- TSM150NB04DCR RLG
- TSM045NB06CR RLG
- TSM150NB04LDCR RLG
- TSM680P06DPQ56 RLG
- TSM089N08LCR RLG