RJK6024DPD-00#J2
600V,0.4A MOSFET
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK6024DPD-00#J2
- 商品编号
- C3278443
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 37.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 漏源导通电阻 (RDS(on)) = 28 Ω(典型值)(漏极电流 (ID) = 0.2 A,栅源电压 (VGS) = 10 V,环境温度 (Ta) = 25°C 时)
- 低驱动电流
- 高密度贴装
应用领域
- 电机驱动
- 逆变器、转换器
- 光伏、风力发电
- 感应加热设备