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PXP018-20QXJ
20V,1个P沟道,漏源电压:20V
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXP018-20QXJ
- 商品编号
- C3278431
- 商品封装
- MLPAK(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他电池供电电路，这些应用需要在超小外形的表面贴装封装中实现快速高端开关和低在线功率损耗。
商品特性
- 低阈值电压
- 沟槽MOSFET技术
- MLPAK33封装(3.3 x 3.3 mm占位面积)
应用领域
- 高端负载开关
- 电池管理
- 直流-直流转换
- 开关电路