商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 470W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.26nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
-高频运行-无需续流二极管
应用领域
-紧凑型DC-DC转换器-交流电机驱动器-电池充电器-开关模式电源
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