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PXN6R7-30QLJ实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PXN6R7-30QLJ

30V, N通道, 增强模式场效应晶体管

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PXN6R7-30QLJ
商品编号
C3278433
商品封装
MLPAK(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12.7A
导通电阻(RDS(on))6.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)40.3W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24.8nC@10V
输入电容(Ciss)1.15nF
反向传输电容(Crss)66pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)380pF

商品概述

这款63 W非对称Doherty射频功率LDMOS晶体管专为覆盖1805至1995 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。

商品特性

  • 逻辑电平兼容
  • 沟槽MOSFET技术
  • 极低的QG和QGD,可实现高系统效率,尤其在较高开关频率下
  • 具有软恢复功能的超快速开关
  • 低尖峰和振铃,适用于低电磁干扰设计
  • MLPAK33封装(3.3 x 3.3 mm占位面积)

应用领域

  • 直流到直流转换
  • 电池管理
  • 低端负载开关
  • 开关电路

数据手册PDF