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PXN010-30QLJ

30V, 16.5A, 30V N沟道Trench MOSFET

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品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PXN010-30QLJ
商品编号
C3278427
商品封装
MLPAK(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)16.5A
导通电阻(RDS(on))10.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)12.5W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC@4.5V
输入电容(Ciss)580pF
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)230pF

数据手册PDF

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