温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PXN4R7-30QLJ
N通道,电流:25A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装为MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXN4R7-30QLJ
- 商品编号
- C3278428
- 商品封装
- MLPAK(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。增加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压等级。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 沟槽 MOSFET 技术
- MLPAK33 封装(3.3 x 3.3 mm 占位面积)
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 电池管理
- 低端负载开关
- 开关电路