RSJ10HN06TL
4V驱动N沟道MOSFET,电流:100A,耐压:60V
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RSJ10HN06TL
- 商品编号
- C3278390
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 202nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.05nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 小尺寸封装（3.3 x 3.3 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗
- 低电容，可降低驱动损耗
- 通过AEC - Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）产品，符合RoHS标准