FDMA710PZ
P沟道,电流:-7.8A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA710PZ
- 商品编号
- C3278413
- 商品封装
- MicroFET-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 355pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 在VGS = -5 V、ID = -7.8 A时,最大rDS(on) = 24 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -7 A时,最大rDS(on) = 25 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -5.5 A时,最大rDS(on) = 35 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -4 A时,最大rDS(on) = 45 mΩ
- MicroFET 2X2封装的最大厚度为0.8 mm,属于薄型封装
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级典型值>3.2 KV
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流到直流转换-电池管理-低端负载开关-开关电路