温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC8327L-L701
N沟道, 14A, 40V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺专门设计用于最小化导通电阻，同时保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC8327L-L701
- 商品编号
- C3278420
- 商品封装
- MLP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺经过特别设计，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 12 A时，最大rDS(on) = 9.7 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 10 A时，最大rDS(on) = 12.5 mΩ
- 低外形——Power 33封装最大高度0.8mm
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换