NDH8302P
双P沟道,电流:-2A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDH8302P
- 商品编号
- C3278394
- 商品封装
- LSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款采用散热高效的MicroFET封装的单N沟道MOSFET专为在负载点转换器中实现出色性能而设计。该器件在导通电阻rDS(on)和栅极电荷之间实现了优化平衡，可有效用作“高端”控制开关或“低端”同步整流器。
商品特性
- 在VGS = -2.7V时,RDS(ON) = 0.19Ω
- -2A、-20V。在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 0.13Ω
- 采用铜引脚框架的专有SuperSOT - 8封装设计,具备卓越的热性能和电气性能。
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力。
应用领域
- 负载点转换器
- 1/16砖同步整流器