MCH3376-TL-E
-20V, 241mΩ, -1.5A, 单P沟道
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MCH3376-TL-E
- 商品编号
- C3278404
- 商品封装
- MCPH-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 241mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
该器件在双封装中集成了两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET™（Q2）经过精心设计，可实现最佳电源效率。
商品特性
- 静电二极管保护栅极
- 低电压驱动:1.8 V驱动
- 高速开关与低损耗
- 低导通电阻RDS(on)
- 无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算领域-通信领域-通用负载点应用