R6004KNJTL
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- R6004KNJTL
- 商品编号
- C3278383
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 980mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用LFPAK56D封装的双路逻辑电平N沟道MOSFET，使用特定应用（ASFET）重复雪崩硅技术。该产品已按照AEC - Q101标准进行设计和认证，适用于重复雪崩应用。
商品特性
- 低导通电阻。
- 超快开关速度。
- 易于并联使用。
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
-开关