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BUK7V4R2-40HX
2个N沟道 耐压:40V 电流:98A
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- 描述
- 采用LFPAK56D封装（半桥配置）的双路标准电平N沟道MOSFET，运用Trench 9 TrenchMOS技术。该产品已依据AEC - Q101标准进行设计和认证。高端FET的源极（S1）与低端FET的漏极（D2）内部相连，使该器件非常适合在高性能汽车PWM应用中用作半桥开关
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7V4R2-40HX
- 商品编号
- C3278359
- 商品封装
- LFPAK-56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 791pF |
商品概述
VRF2944是一款镀金硅N沟道射频功率晶体管，专为需要高功率和增益，同时不影响可靠性、耐用性或互调失真的宽带商业应用而设计。
商品特性
- 增强耐用性，V(BR)DSS = 170 V
- 在30MHz、50V条件下，功率达400W，典型增益为22dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 提供配对产品
- 在指定工作条件下，负载电压驻波比（VSWR）可达70:1
- 采用氮化物钝化工艺
- 难熔镀金工艺
- VRF2933的更高功率版本
- 热增强型封装
- 符合RoHS标准