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BUK7V4R2-40HX
2个N沟道 耐压:40V 电流:98A
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- 描述
- 采用LFPAK56D封装（半桥配置）的双路标准电平N沟道MOSFET，运用Trench 9 TrenchMOS技术。该产品已依据AEC - Q101标准进行设计和认证。高端FET的源极（S1）与低端FET的漏极（D2）内部相连，使该器件非常适合在高性能汽车PWM应用中用作半桥开关
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7V4R2-40HX
- 商品编号
- C3278359
- 商品封装
- LFPAK-56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 791pF |
商品概述
VRF2944是一款镀金硅N沟道射频功率晶体管，专为需要高功率和增益，同时不影响可靠性、耐用性或互调失真的宽带商业应用而设计。
商品特性
- 半桥配置的LFPAK56D封装可实现:
- 降低PCB布局复杂度
- 通过减小三相电机驱动的元件占位面积来缩小PCB尺寸
- 优化的封装设计可改善系统级热阻Rth(j - amb)
- 较低的寄生电感,以支持更高的效率
- 与LFPAK56D双路封装的引脚兼容
- 先进的AEC-Q101级Trench 9硅技术:
- 低功率损耗、高功率密度
- 卓越的雪崩性能
- 额定重复雪崩能力
- LFPAK铜夹封装提供高稳健性和可靠性
- 鸥翼式引脚支持高可制造性和自动光学检测(AOI)
应用领域
- 12 V汽车系统
- 动力总成、底盘、车身和信息娱乐应用
- 无刷或有刷直流电机驱动
- 直流到直流系统
- LED照明