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NVTYS002N03CLTWG
N沟道,电流:140A,耐压:30V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVTYS002N03CLTWG
- 商品编号
- C3278368
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.697nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
POWER MOS 8°是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。此“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复 dv/dt 能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的 Crss / Ciss 比值，使其具备出色的抗噪声能力和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。
商品特性
~~- 快速开关且电磁干扰低-低反向恢复时间,可靠性高-超低 Crss,增强抗噪声能力-低栅极电荷-有雪崩能量额定值-符合 RoHS 标准
应用领域
- 零电压开关移相桥及其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正（PFC）及其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路