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PSMN3R5-80YSFX
1个N沟道 耐压:80V 电流:150A
- 描述
- NextPower 80 V 标准电平栅极驱动 MOSFET。可在 175℃ 环境下使用，适用于工业和消费类应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN3R5-80YSFX
- 商品编号
- C3278353
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 112.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.689nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.321nF |
商品概述
采用先进的TrenchMOS超结技术、封装为175°C LFPAK33的95 A标准电平N沟道增强型MOSFET。该产品专为高开关频率下的高效应用而设计并通过认证。
商品特性
- 低反向恢复电荷(Qrr),可提高效率并减少尖峰
- 最大漏极电流(ID(max))达150 A,具备可靠的连续电流额定值
- 低栅极电荷(QG)与导通电阻(RDSon)乘积的品质因数(FOM),适用于高效开关应用
- 具备高雪崩能量额定值(Eas)
- 经过雪崩测试,100%合格
- 采用无卤且符合RoHS标准的LFPAK56E封装
应用领域
- 交直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)变换器中的同步整流器
- 直流-直流(DC-DC)变换器中的初级侧开关
- 无刷直流(BLDC)电机控制
- USB-PD适配器
- 全桥和半桥应用
- 反激式和谐振拓扑结构