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BUK9V13-40HX
2个N沟道 耐压:40V 电流:42A
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- 描述
- 采用LFPAK56D封装（半桥配置）的双路逻辑电平N沟道MOSFET，运用Trench 9 TrenchMOS技术。该产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证。高端FET的源极（S1）与低端FET的漏极（D2）内部相连，使该器件非常适合在高性能汽车PWM应用中用作半桥开关
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9V13-40HX
- 商品编号
- C3278355
- 商品封装
- LFPAK-56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品概述
采用LFPAK56E封装的N沟道增强型MOSFET，工作温度可达175°C。PSMN4R2 - 80YSE在高可靠性铜夹片LFPAK56E封装中实现了极低的导通电阻（RDSon）和出色的线性模式（SOA）性能。 PSMN4R2 - 80YSE与最新的“热插拔”控制器相得益彰——具备足够的鲁棒性，可承受开启时的大涌入电流；低导通电阻（RDSon）可将I²R损耗降至最低，在完全导通时实现最佳效率；与现有的D2PAK封装相比，占位面积缩小了80%。
商品特性
- 半桥配置的LFPAK56D封装可实现:
- 降低PCB布局复杂度
- 通过减小三相电机驱动的元件占位面积实现PCB尺寸缩小
- 优化的封装设计可改善系统级热阻Rth(j - amb)
- 较低的寄生电感,支持更高的效率
- 与LFPAK56D双路封装的引脚兼容
- 先进的AEC-Q101级Trench 9硅技术:
- 低功耗、高功率密度
- 出色的雪崩性能
- 额定重复雪崩能力
- LFPAK铜夹封装提供高稳健性和可靠性
- 鸥翼式引脚支持高可制造性和自动光学检测(AOI)
应用领域
- 12 V汽车系统
- 动力总成、底盘、车身和信息娱乐应用
- 无刷或有刷直流电机驱动
- DC-DC系统
- LED照明