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PSMN013-40VLDX
2个N沟道 耐压:40V 电流:42A
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- 描述
- 采用LFPAK56D封装（半桥配置）的双路逻辑电平N沟道MOSFET，运用NextpowerS3技术。高端FET的源极（S1）与低端FET的漏极（D2）内部相连，使该器件非常适合在高性能PWM和空间受限的电机驱动应用中用作半桥开关。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN013-40VLDX
- 商品编号
- C3278358
- 商品封装
- LFPAK-56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
优惠活动
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