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BUK9K52-60RAX
2个N沟道 耐压:60V 电流:16A
- 描述
- 采用LFPAK56D封装的双路、逻辑电平N沟道MOSFET，运用专用（ASFET）重复雪崩硅技术。该产品已依据AEC - Q101标准进行设计和认证，适用于重复雪崩应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9K52-60RAX
- 商品编号
- C3278356
- 商品封装
- LFPAK-56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 725pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 89pF |
商品特性
-在175°C下完全符合AEC-Q101汽车级标准-重复雪崩额定结温上升至30°C-经过10亿次雪崩事件测试-采用LFPAK铜夹封装技术-高稳健性和可靠性-鸥翼式引脚,便于制造和自动光学检测(AOI)
应用领域
- 12 V、24 V和48 V汽车系统
- 重复雪崩拓扑结构
- 发动机控制
- 变速器控制
- 执行器和辅助负载