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PSMN4R8-100YSEX
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 采用LFPAK56E封装的N沟道增强型MOSFET，工作温度可达175°C。在高可靠性铜夹片LFPAK56E封装中实现极低的导通电阻（RDS(on)）和出色的线性模式（SOA）性能。与最新的“热插拔”控制器配合使用 —— 具备足够的鲁棒性，可承受开启时的大量浪涌电流；低导通电阻（RDS(on)）可将I²R损耗降至最低，在完全导通时实现最佳效率；与现有的D2PAK类型相比，占位面积缩小了80%
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN4R8-100YSEX
- 商品编号
- C3278354
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.14nF |
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