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BUK6Y10-30PX
1个P沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- P- 通道增强模式 MOSFET，采用 Trench MOSFET 技术，封装为 LFPAK56 (Power SO8) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。该产品已按照 AEC-Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用，如反向电池保护。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6Y10-30PX
- 商品编号
- C3278350
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品概述
采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合作为电信和计算机应用中先进高效隔离式DC - DC转换器的初级开关。它也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 面向应用的特性表征
应用领域
- 开关应用