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RJK0330DPB-01#J0

1个N沟道耐压:30V 电流:45A

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描述: 特性：高速开关。能够进行4.5V栅极驱动。低驱动电流。高密度安装。低导通电阻：RDS(on) = 2.1mΩ（典型值，VGS = 10V时）。无铅。无卤
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: RJK0330DPB-01#J0
商品编号: C3278338
商品封装: SC-100(SOT-669)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.214906克(g)

商品参数

Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了传导损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了较低的传导和开关损耗，以及安森美半导体（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。