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RJK0455DPB-00#J5

N通道MOSFET,电流:45A,耐压:40V

品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: RJK0455DPB-00#J5
商品编号: C3278341
商品封装: SC-100(SOT-669)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.214906克(g)

商品参数

商品概述

HUF75309 N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

17A，55V
超低导通电阻，rDS(ON) = 0.070Ω
二极管兼具高速和软恢复特性
温度补偿PSPICE模型
热阻抗SPICE模型
峰值电流与脉冲宽度曲线
UIS额定曲线

应用领域

开关稳压器
开关转换器
电机驱动器
继电器驱动器
低压总线开关
便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	45A
	导通电阻(RDS(on))	3.8mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	60W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@1mA
	栅极电荷量(Qg)	34nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.55nF@10V
	反向传输电容(Crss)	210pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道