PSMN5R0-40MSHX
N沟道,电流:85A,耐压:40V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN5R0-40MSHX
- 商品编号
- C3278342
- 商品封装
- LFPAK-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 154pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 707pF |
商品概述
功率MOS是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。这种“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复dv/dt能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss/Ciss比值，使其具备出色的抗噪性和低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。
商品特性
- 快速开关，低电磁干扰
- 低反向恢复时间（trr），高可靠性
- 超低Crss，增强抗噪性
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 符合RoHS标准
应用领域
- 零电压开关（ZVS）移相及其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正（PFC）及其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路