PSMN5R0-40MSHX
N沟道,电流:85A,耐压:40V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN5R0-40MSHX
- 商品编号
- C3278342
- 商品封装
- LFPAK-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 154pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 707pF |
商品概述
功率MOS是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。这种“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复dv/dt能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss/Ciss比值，使其具备出色的抗噪性和低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。
商品特性
- 雪崩额定,100%测试
- NextPower-S3技术实现“超快速开关与软体二极管恢复”
- 低QRR、QG和QGD,实现高系统效率,尤其在高开关频率下
- 低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
- 高可靠性夹焊和焊片连接的Mini Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C下工作
- 外露引脚可进行波峰焊,便于目视检查焊点且焊点质量高
- 低寄生电感和电阻
应用领域
-次级侧同步整流-DC-DC转换器-无刷直流电机驱动-LED照明