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NVMYS003N08LHTWG
N沟道,电流:132A,耐压:80V
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- 描述
- 特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 LFPAK4封装，行业标准。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMYS003N08LHTWG
- 商品编号
- C3278347
- 商品封装
- LFPAK-4(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 132A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.735nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 458pF |
商品概述
PowerMESH™ II 是第一代 MESH OVERLAY™ 的升级版。引入的布局优化在保持器件在开关速度、栅极电荷和坚固性方面领先的同时，极大地改善了导通电阻与面积乘积的优值。
商品特性
- 小尺寸(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- LFPAK4封装,行业标准
- 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅,符合RoHS标准
应用领域
- 大电流、高速开关
- 开关模式电源 (SMPS)
- 用于焊接设备、不间断电源和电机驱动器的直流 - 交流转换器