TSM7N90CI C0G
1个N沟道 耐压:900V 电流:7A
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- 商品型号
- TSM7N90CI C0G
- 商品编号
- C3278326
- 商品封装
- ITO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.969nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 133pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),最大1.9Ω
- 低栅极电荷,典型值为49nC
- 改善dV/dt能力
- 无铅电镀
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,且符合WEE 2002/96/EC指令
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
应用领域
-电源-照明
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