商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6.2V |
商品概述
采用先进的TrenchMOS超结技术，封装为175°C LFPAK33的85 A标准电平N沟道增强型MOSFET。该产品专为高开关频率下的高效应用而设计并通过认证。
商品特性
- 输出功率 = 300 W
- 功率增益 = 16.5 dB(典型值)
- 效率 = 57 %(典型值)
- 易于功率控制
- 出色的耐用性
- 高效率
- 优异的热稳定性
- 专为1030 MHz至1090 MHz频段运行而设计
- 内部匹配,使用方便
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 1030 MHz至1090 MHz频段电子应用的射频功率放大器
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