STB33N60M6
N沟道,电流:25A,耐压:600V
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- 描述
- 采用 D2PAK 封装的 N 沟道 600 V、105 mOhm（典型值）、25 A MDmesh M6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB33N60M6
- 商品编号
- C3277536
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.515nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比,单位面积的导通电阻RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 经过100%雪崩测试
- 具备齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器