STD16N60M6
N沟道,电流:12A,耐压:600V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD16N60M6
- 商品编号
- C3277926
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与前代产品相比,每单位面积的RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用-LLC转换器-升压PFC转换器