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STD12N60DM6
N沟道,电流:10A,耐压:600V
- 描述
- 采用 DPAK 封装的 N 沟道 600 V、345 mOhm（典型值）、10 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD12N60DM6
- 商品编号
- C3277927
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDmesh 产品相比,DM6 兼具极低的恢复电荷(Qrr)、恢复时间(trr),每单位面积的导通电阻(RDS(on))显著降低,并且具备市场上用于严苛高效桥接拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器的最有效的开关特性之一。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,每单位面积的导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 经过 100% 雪崩测试
- 具备极高的 dv/dt 鲁棒性
- 采用齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用