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STD12N60DM6
N沟道,电流:10A,耐压:600V
- 描述
- 采用 DPAK 封装的 N 沟道 600 V、345 mOhm（典型值）、10 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD12N60DM6
- 商品编号
- C3277927
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积下尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
商品特性
~~- 逻辑电平栅极驱动-超低导通电阻-表面贴装(IRLR3410)-直引脚(IRLU3410)-先进的工艺技术-快速开关-全雪崩额定-无铅